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                English

                DDR2

                大容量DDR2是高速、高存¤儲密度的同步動態隨機訪問數據存儲器,由1個或多個DDR2基片采用立體封裝工藝堆疊而成◤。廣泛■應用於航空航天領域嵌入式計算機系統。

                   產品特性

                 

                總容量:1G~4G;

                訪問速度:最快達2.5ns

                數據寬度:8位,72位;

                電源電壓:1.8V

                典型產品輻照指標:

                TID: 100 kradSi

                SEL: 68 Mev·cm2/mg

                SEU: 2.3 Mev·cm2/mg

                工作溫度:-55~105℃。

                 

                 

                   產品列表

                 

                #  DDR2 存儲容量(bit)  存儲組織  電壓  訪問速度  抗輻射 封裝  溫度等級  篩選等級  質量等級 
                TID 1 SEL 2 SEU 3
                1 VD2D1G08xS74xx1U6 1G  128M*8  1.8V  2.5 ns 100 >68  2.3 SOP74  E、L、S  E、B、S  EE、IB、SS 
                2 VD2D4G72xB191xx3U6E 4G 64M*72  1.8V  2.5 ns 100 >68  2.3 BGA191 E、L、S  E、B、S  EE、IB、SS 
                3 VD2D8G08RS88SS8U6 8G 1G*8 1.8V  2.5 ns 100 >68  2.3 SOP88 E、L、S  E、B、S  EE、IB、IS、SS 


                1TID: Total DoseKrads(Si)

                2SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

                3SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

                 

                   相關下載


                VD2D1G08xS74xx1U6 user manual.pdf 資料下載
                VD2D4G72xx191xx3U6E user manual.pdf 資料下載
                VD2D8G08RS88SS8U6 user manual.pdf 資料下載
                立體封裝模塊自動回流焊□裝配規範.pdf 資料下載
                立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf 資料下載
                立體封裝模塊加固建議.pdf 資料下載
                立體封裝模塊焊接後清洗建議.pdf 資料下載



                4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

                • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
                  暫無記錄
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